Application of synchrotron-radiation X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption near edge structure to the non-destructive depth analysis of SiO/Si layer

山本 博之; 馬場 祐治

Photon Factory Activity Report 1998, P. 136, 1999/11

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199923003+00166

光電効果により放出される電子の脱出深さは、電子の運動エネルギーに依存する。我々は従来まで、この傾向をX線光電子分光法に応用し、固体表面の非破壊深さ分析を試みてきた。これに対し、X線吸収端微細構造法(XANES)を用いると、より微量での化学状態分析が非破壊で可能になると期待される。一方、本法は定量的な情報が得られにくい、ある深さからの情報のみを取り出すことが難しい、などの理由により深さ方向分析は困難と考えられてきた。本研究においては、XANESを用いて深さ方向に関する情報を得ることを目的とした。Si上に生成したSiO薄膜の測定結果から、測定する電子の運動エネルギーを変化させた場合、XANESスペクトルのSiO/Si比は系統的に変化することから、深さ方向の情報が得られることを明らかにできた。